中国光刻机(中国能做3纳米的光刻机吗)

一、中国目前的技术在90nm，最先进的ASML也是5nm，3nm无人能造

首先回答问题，那就是不能，目前中国量产的光刻机技术是90nm，90nm之后还有N个台阶，离3nm的差距，至少是10年起步。

中国目前光刻机技术最强的是上海微电子，生产的光刻机还在90nm阶段，处于光刻机技术的最后一档。

如上图所示，中国的SMEE处于低端，也就是90nm，而日本canno也处于这一档，而Nikon处于7-28nm。

而技术最强的ASML目前的技术是5nm/7nm技术，也没有3nm技术，所以现在说3nm真的是太早太早了。

二、光刻机的核心技术是什么，为何这么难？

那么光刻机的核心技术是什么，为何这么难？其实从元件来看，核心元件是镜头，因为光刻机的原理是放大的单反，用光把电路图刻画在硅片上，一次又一次，一层又一层的刻画。

所以核心指标是分辨率、套刻精度，分辨率则是指能够刻画线路图的分辨率，这个就是工艺的节点技术，比如5nm、7nm等。

而套刻精度则是指多次刻画之间的精度，这两项主要是在于组装技术，靠常年累月积累，经验来实现的，这就是ASML的厉害之处，别人拿了它的图纸，它的元件，也未必能够做到的分辨率和套刻精度。

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